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根据金刚石的碳原子（共价半径0.077nm）在元素周期表中的位置来选择，碳达体化离的最近的是氮原子(0.075nm)，这使其也成为金刚石n型掺杂的有利候补。其独特的性质组合可以使元器件的开关频率达到目前已量产的第三代半导体SiC器件的五倍，峰实而且在450K的高温下，峰实金刚石半导体可以将半导体损耗降低三倍，同时散热器体积缩小为原来的1/3[3]。

施方大多数商用单晶金刚石衬底都是通过高压高温（HPHT）方法或化学气相沉积（CVD）来生长的。单晶的纯净度决定了圆晶以及成品芯片的良率，案积尺寸决定了一个圆晶上所能加工的芯片数量。单晶制备方面存在的问题尽管多晶金刚石集成光电子器件已经问世，展源但在多晶金刚石中的性能并不如单晶金刚石器件。

晶体管尺寸越小，网荷单位面积芯片就能容纳更多的晶体管数量，从而实现更强大的计算能力和更低的能耗。与当前领先的5nm芯片相比，和多2nm芯片的体积也更小，速度也更快。

金刚石半导体电子器件简介发展金刚石芯片的第一步是组成金刚石逻辑电路的基本单元，贵州如晶体管和开关等半导体器件的开发。

将24个10×10mm2具有相同晶体学特征的金刚石籽晶按照相同的晶向紧密平铺在一起，碳达体化通过MPCVD生长使这些籽晶连接起来形成一块2英寸(40×60mm2)级别的大单晶[9]。华纳海姆，峰实在神话中华纳神族居住的地方。

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