昆明d,f）N掺杂（d,e）和S掺杂CGNRs（f,g）的STM图像和e,g）nc-AFM图像。

电力电量的通d）共掺杂GNRs的DFT模拟和实验结果的拉曼光谱。随后，交易交易介绍了利用杂原子结合和异质结结构实现电子特性微调方法。

中心知图3在各种金属基底上生长的GNRsa）V形重建的Au(111)表面。b-d）生长在Au(111)(b)、关于Ag(111)(c)和Cu(111)(d)上的chGNRs的STM图像。春节前体和衬底的类型直接影响生长过程和最终产物的形态。

期间c）GNR衍生的NPG的拉普拉斯滤波地形图和分子结构（插图）。日前b）5-AGNRs和融合AGNRs的STM图像。

有关图6 横向融合策略改变AGNR的宽度a）5-AGNRs的生长及其横向融合到更宽的GNR的示意图。

单分子纳米器件可以进一步提高FET器件的开/关比，事项这是目前所面临的挑战。在今年3月份的游戏开发者大会上，昆明索尼发布了PSVR，EA也宣布了将会为PSVR制作专属体验《星球大战前线VR》。

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